东精精密

CMP是IC芯片制造中的一种硅片表面平坦化工艺。通过研磨垫和研磨剂的化学、机械共同作用，消除硅片表面的微观凹凸，达到平坦化。

　ChaMP: 300mm机型

ACCRETECH（东京精密）结合了自身领先的精密测量技术及半导体设备制造技术，针对300mm 硅片的65nm及以下器件的工艺要求推出了CMP量产设备（ChaMP系列）。

特点1	气浮式磨头“Sylphide”

通过悬浮气膜实现下压力的均匀分布，达到均匀研磨的目的

通过独立于悬浮气膜之外的气囊实施下压力的设计特点使得本设备在低下压力条件下的工艺控制性、稳定性特别突出

可实现下压力分区控制（选项功能）

特点2	Edge Exclusion1mm条件下仍保持良好的均一性

特点3	稳定、准确的压力控制

特点4	简易的研磨头保养、更换

取下：大约5秒


（双手将扣环盖向上推）	用拇指掰开扣环使Retainer脱落	取下Retainer

安装：大约十秒

1．双手握住扣环慢慢将Retainer推入，轻轻回转Retainer至定位销入位

2．滑下扣环盖使扣环整体固定

　ChaMP：200mm/150mm机型

用于150/200mm wafer